GP BJT

BUJ105AD,118

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

WeEn Semiconductors Co., Ltd

제품 기술 사양

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Type

  NPN

• Catégorie

  Bipolar Power

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension de base maximale du collecteur (V)

  700

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  400

• Operating Junction Temperature (°C)

  150

• Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)

  1.5@0.8A@4A

• Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)

  1@0.8A@4A

• Courant collecteur CC maximal (A)

  8

• Courant de coupure de collecteur maximal (nA)

  200000

• Gain de courant CC minimal

  10@1mA@5V|13@500mA@5V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  80000

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -65

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  2.38(Max)

• Largeur du paquet

  6.22(Max)

• Longueur du paquet

  6.73(Max)

• Carte électronique changée

  2

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  DPAK

• Décompte de broches

  3