MOSFET

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

Infineon Technologies AG

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  18

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  4.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  8.5@4.5V|17@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  17

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1100@15V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2100

• Typische Abfallzeit (ns)

  3

• Typische Anstiegszeit (ns)

  4.4

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  16

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  3.3

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1

• Verpackungsbreite

  3.3

• Verpackungslänge

  3.3

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SON

• Lieferantenverpackung

  TSDSON EP

• Stiftanzahl

  8