MOSFET

2N7000-G

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

Microchip Technology

제품 기술 사양

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  60

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.2

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  5000@10V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  60(Max)@25V

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  25(Max)

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Bag

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.33(Max)

• Verpackungsbreite

  4.19(Max)

• Verpackungslänge

  5.21(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-92

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Formed