Memorie Flash
W25Q32JVSSIM
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 32M-bit 4M x 8 6ns 8-Pin SOIC W Tube
Winbond ElectronicsSpecifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
3A991b.1.a.
Part Status
LTB
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Zellart
NOR
Dichte (bit)
32M
Architektur
Sectored
Boot-Block
Yes
Blockorganisation
Symmetrical
Position des Boot-Blocks
Bottom|Top
Adressbusbreite (bit)
24
Sektorgröße
4Kbyte x 1024
Seitengröße
256byte
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
8
Anzahl der Worte
4M
Programmierbarkeit
Yes
Timing-Typ
Synchronous
Max. Zugriffzeit (ns)
6
Max. Löschzeit (s)
50/Chip
Max. Programmierzeit (ms)
3/Page
Schnittstellenart
Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI)
Mindestbetriebsspannung (V)
2.7
Typische Betriebsversorgungsspannung (V)
3|3.3
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
3.6
Programmierspannung (V)
2.7 to 3.6
Max. Betriebsstrom (mA)
25
Programmstrom (mA)
25
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
85
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Befehlskompatibel
Yes
ECC-Unterstützung
No
Unterstützung des Seitenmodus
No
Mindeststehvermögen (Cycles)
100000
Verpackung
Tube
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.8
Verpackungsbreite
5.28
Verpackungslänge
5.28
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC W
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing

