MOSFET

TPS1100D

Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube

Texas Instruments

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.21.00.95

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Small Signal

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  15

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  2

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.5

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  1.6

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  400@4.5V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  5.45@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  5.45

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  1.4

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  0.87

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  791

• Typische Abfallzeit (ns)

  2

• Typische Anstiegszeit (ns)

  10

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  13

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  4.5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  125

• Verpackung

  Tube

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  476@3V|606@2.7V|291@4.5V|180@10V

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.5(Max)

• Verpackungsbreite

  3.9

• Verpackungslänge

  4.91

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  SOIC

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  Gull-wing