Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
93
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
4.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
58@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
58
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
4000@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2800
Typische Abfallzeit (ns)
13
Typische Anstiegszeit (ns)
9.6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95
Verpackungsbreite
5
Verpackungslänge
5
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOP Advance
Stiftanzahl
8