Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
110
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
6.9@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
230@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
230
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
60
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
50
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
210
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
11400@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
900@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
1200
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3750
Typische Abfallzeit (ns)
50
Typische Anstiegszeit (ns)
25
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
110
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
20
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
5.5@10V|7@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3.75
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
240
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
40
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.3
Typische Sperrerholungszeit (ns)
91
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.5
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.83(Max)
Verpackungsbreite
9.65(Max)
Verpackungslänge
10.41(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Quantità Ordine