Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±16
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
55
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
18@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
27@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
10@4.5V
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
7
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
200
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1700@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
105@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
300
Max. Leistungsaufnahme (mW)
95000
Typische Abfallzeit (ns)
20
Typische Anstiegszeit (ns)
100
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
40
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
20
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
14@10V|16@5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
220
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3
Typische Sperrerholungszeit (ns)
80
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.6
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.7
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
16
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.1
Verpackungsbreite
4.5
Verpackungslänge
10.2
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole