Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
8
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
20.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
22@4.5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2850@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2900
Typische Abfallzeit (ns)
19
Typische Anstiegszeit (ns)
47
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
148
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
43
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95(Max)
Verpackungsbreite
3.3
Verpackungslänge
3.3
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
Power Flat EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead