Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
100
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
4.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
180
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
2.5@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
160@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
160
Barrière type pour drainer la charge (nC)
38
Barrière type à la source de la charge (nC)
48
Charge de récupération inverse type (nC)
315
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
11550@25V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
217@25V
Tension seuil de barrière minimale (V)
2.5
Capacitance type de sortie (pF)
2950
Dissipation de puissance maximale (mW)
300000
Temps de descente type (ns)
112
Temps de montée type (ns)
139
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
110
Délai type de mise en marche (ns)
49
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
2@10V
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
720
Tension de plateau de barrière type (V)
4.5
Temps inverse de recouvrement type (ns)
108
Tension maximale directe de diode (V)
1.2
Tension maximale de source barrière positive (V)
20
Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)
180
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
4.7(Max)
Largeur du paquet
9.17(Max)
Longueur du paquet
10.4(Max)
Carte électronique changée
2
Onglet
Tab
Conditionnement du fournisseur
H2PAK
Décompte de broches
3