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MOSFET

SQ2361CES-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Vishay
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    P
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 175
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    2.8
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    177@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    9@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    9
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    380@30V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    2000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    4
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    9
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    22
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    8
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    175
  • Temperaturbereich Lieferant
    Automotive
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.05(Max)
  • Verpackungsbreite
    1.32
  • Verpackungslänge
    2.95
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-23
  • Stiftanzahl
    3
Quantità Ordine

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione