Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
SiC
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
1200
Max. Gate-Source-Spannung (V)
25
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3(Typ)
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 200
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
65
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
100
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
69@20V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
122@20V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
35
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
19
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
230
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1900@400V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
30@400V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.8
Typische Ausgangskapazität (pF)
170
Max. Leistungsaufnahme (mW)
318000
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
200
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
52@20V
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
25
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
130
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
3.5
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
55
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
20
Verpackungsbreite
5
Verpackungslänge
15.6
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
HIP-247
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole