Memorie Flash

S29GL512S10GHI010

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin Fortified BGA Tray

Infineon Technologies AG

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.51

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Zellart

  NOR

• Dichte (bit)

  512M

• Architektur

  Sectored

• Boot-Block

  Yes

• Blockorganisation

  Symmetrical

• Position des Boot-Blocks

  Top|Bottom

• Adressbusbreite (bit)

  25

• Sektorgröße

  128Kbyte x 512

• Seitengröße

  32byte

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Anzahl der Worte

  32M

• Programmierbarkeit

  Yes

• Timing-Typ

  Asynchronous

• Max. Zugriffzeit (ns)

  100

• Max. Löschzeit (s)

  1.1/Sector

• Max. Seitenzugriffszeit (ns)

  15

• Max. Programmierzeit (ms)

  192/Sector

• OE-Zugriffszeit (ns)

  35

• Prozesstechnologie

  65nm

• Schnittstellenart

  Parallel

• Mindestbetriebsspannung (V)

  2.7

• Typische Betriebsversorgungsspannung (V)

  3|3.3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Programmierspannung (V)

  2.7 to 3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  60

• Seitenlesestrom (mA)

  25

• Programmstrom (mA)

  100

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Befehlskompatibel

  Yes

• ECC-Unterstützung

  Yes

• Unterstützung des Seitenmodus

  Yes

• Mindeststehvermögen (Cycles)

  100000

• Verpackung

  Tray

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max) - 0.17(Min)

• Verpackungsbreite

  7

• Verpackungslänge

  9

• Leiterplatte geändert

  56

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  Fortified BGA

• Stiftanzahl

  56

• Leitungsform

  Ball