Memorie Flash

S29GL256P11FFI010

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray

Infineon Technologies AG

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  3A991b.1.a.

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8542.32.00.71

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Zellart

  NOR

• Dichte (bit)

  256M

• Architektur

  Sectored

• Boot-Block

  No

• Blockorganisation

  Symmetrical

• Adressbusbreite (bit)

  25/24

• Sektorgröße

  128Kbyte x 256

• Seitengröße

  8Words/16byte

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  8/16

• Anzahl der Worte

  32M/16M

• Programmierbarkeit

  Yes

• Timing-Typ

  Asynchronous

• Max. Zugriffzeit (ns)

  110

• Max. Löschzeit (s)

  512/Chip

• Max. Seitenzugriffszeit (ns)

  25

• Max. Programmierzeit (ms)

  246000(Typ)/Chip

• OE-Zugriffszeit (ns)

  25

• Prozesstechnologie

  90nm

• Schnittstellenart

  Parallel

• Mindestbetriebsspannung (V)

  2.7

• Typische Betriebsversorgungsspannung (V)

  3|3.3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Programmierspannung (V)

  2.7 to 3.6|11.5 to 12.5

• Max. Betriebsstrom (mA)

  110

• Seitenlesestrom (mA)

  20

• Programmstrom (mA)

  90

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Befehlskompatibel

  Yes

• ECC-Unterstützung

  No

• Unterstützung des Seitenmodus

  Yes

• Mindeststehvermögen (Cycles)

  100000(Typ)

• Verpackung

  Tray

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.6(Min)

• Verpackungsbreite

  11

• Verpackungslänge

  13

• Leiterplatte geändert

  64

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  Fortified BGA

• Stiftanzahl

  64

• Leitungsform

  Ball