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MOSFET

PMZB550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN-B T/R

Nexperia
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.21.00.95
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Small Signal
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    30
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    8
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    0.95
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    0.59
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    5000
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    670@4.5V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    0.6@4.5V
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    30.3@15V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    400
  • Typische Abfallzeit (ns)
    3
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    7
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    12
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    4
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.36(Max)
  • Verpackungsbreite
    1
  • Verpackungslänge
    0.6
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    DFN
  • Lieferantenverpackung
    DFN-B
  • Stiftanzahl
    3
Quantità Ordine

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione