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Gate driver e Driver di potenza

NCP81074BDR2G

Gate Power Driver IC

onsemi
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8542.39.00.90
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Treiberart
    Low Side
  • Treiberkonfiguration
    Inverting|Non-Inverting
  • Anzahl der Treiber
    2
  • High Side- und Low Side-Abhängigkeit
    Dependent
  • Typ
    MOSFET
  • Anzahl der Ausgänge
    2
  • Max. Anstiegszeit (ns)
    4(Typ)
  • Max. Abfallzeit (ns)
    4(Typ)
  • Max. Laufzeitverzögerungszeit (ns)
    15(Typ)
  • Eingangslogikkompatibilität
    CMOS|TTL
  • Mindestbetriebsspannung (V)
    4.5
  • Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
    20
  • Max. Versorgungsstrom (mA)
    1.2(Typ)
  • Spitzenausgangsstrom (A)
    10(Typ)
  • Ausgangswiderstand (Ohm)
    0.4
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    140
  • Spezielle Funktionen
    Under Voltage Lockout
  • Verriegelt-Sicherstellung
    Yes
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.5(Max)
  • Verpackungsbreite
    4(Max)
  • Verpackungslänge
    5(Max)
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Standard-Verpackungsname
    SO
  • Lieferantenverpackung
    SOIC N
  • Stiftanzahl
    8
  • Leitungsform
    Gull-wing

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione