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MOSFET

MDHT4N20YURH

Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

MagnaChip Semiconductor

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Dual Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  200

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.85

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  1350@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  3.2@5V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  148@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2100

• Typische Abfallzeit (ns)

  13

• Typische Anstiegszeit (ns)

  38

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  11

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.7(Max)

• Verpackungsbreite

  3.7(Max)

• Verpackungslänge

  6.7(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-223

• Stiftanzahl

  4

• Leitungsform

  Gull-wing