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BJT GP

JAN2N2905

Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39

Semicoa Semiconductors
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Not Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    EA
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    PNP
  • Kategorie
    Bipolar Power
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Single
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
    60
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    40
  • Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
    5
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -65 to 200
  • Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
  • Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
  • Max. DC-Kollektorstrom (A)
    0.6
  • Mindestgleichstromverstärkung
    35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    800
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -65
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    200
  • Temperaturbereich Lieferant
    Military
  • Durchmesser
    9.4(Max)
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    6.6(Max)
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-39
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Through Hole
Quantità Ordine

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione