Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
60
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
18@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
49@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
49
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2650@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
176000
Typische Abfallzeit (ns)
37
Typische Anstiegszeit (ns)
40
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
43
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
27
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.7(Max) mm
Verpackungsbreite
9.4(Max) mm
Verpackungslänge
10.41(Max) mm
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Quantità Ordine