Chip DRAM

IS43TR85120BL-125KBLI

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA

Integrated Silicon Solution Inc

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.36

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  DDR3L SDRAM

• Dichte (bit)

  4G

• Organisation

  512Mx8

• Zahl der internen Banken

  8

• Anzahl der Worte pro Bank

  64M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  8

• Datenbusbreite (bit)

  8

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  1600

• Max. Zugriffzeit (ns)

  0.225

• Adressbusbreite (bit)

  19

• Prozesstechnologie

  25nm

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.283

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.45

• Max. Betriebsstrom (mA)

  167

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  95

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  8

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max)

• Verpackungsbreite

  8

• Verpackungslänge

  10.5

• Leiterplatte geändert

  78

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TW-BGA

• Stiftanzahl

  78