Chip DRAM
IS42S32800J-6TL
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Integrated Silicon Solution IncSpecifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
LTB
HTS
8542.32.00.24
Automotive
No
PPAP
No
Typ
SDRAM
Dichte (bit)
256M
Organisation
8Mx32
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
2M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
32
Datenbusbreite (bit)
32
Max. Taktfrequenz (MHz)
166
Max. Zugriffzeit (ns)
6.5|5.4
Adressbusbreite (bit)
14
Prozesstechnologie
63nm
Schnittstellenart
LVTTL
Mindestbetriebsspannung (V)
3
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
3.6
Max. Betriebsstrom (mA)
190
Mindestbetriebstemperatur (°C)
0
Max. Betriebstemperatur (°C)
70
Temperaturbereich Lieferant
Commercial
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
32
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05(Max)
Verpackungsbreite
10.29(Max)
Verpackungslänge
22.42(Max)
Leiterplatte geändert
86
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP-II
Stiftanzahl
86