Memorie Flash

IS29GL128-70DLEB-TR

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64-Pin LFBGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  3A991b.1.a.

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.51

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Zellart

  NOR

• Dichte (bit)

  128M

• Architektur

  Sectored

• Boot-Block

  Yes

• Blockorganisation

  Symmetrical

• Position des Boot-Blocks

  Bottom|Top

• Adressbusbreite (bit)

  25/24

• Sektorgröße

  128Kbyte x 128

• Seitengröße

  8Words/16byte

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  8/16

• Anzahl der Worte

  16M/8M

• Programmierbarkeit

  Yes

• Timing-Typ

  Asynchronous

• Max. Zugriffzeit (ns)

  70

• Max. Löschzeit (s)

  150/Chip

• Max. Seitenzugriffszeit (ns)

  20

• Max. Programmierzeit (ms)

  0.2/Byte

• OE-Zugriffszeit (ns)

  35

• Prozesstechnologie

  65nm

• Schnittstellenart

  Parallel

• Mindestbetriebsspannung (V)

  3

• Typische Betriebsversorgungsspannung (V)

  3|3.3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Programmierspannung (V)

  2.7 to 3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  45

• Seitenlesestrom (mA)

  15

• Programmstrom (mA)

  40

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  105

• Temperaturbereich Lieferant

  Extended

• Befehlskompatibel

  Yes

• ECC-Unterstützung

  No

• Unterstützung des Seitenmodus

  Yes

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.8(Max) mm

• Verpackungsbreite

  9 mm

• Verpackungslänge

  9 mm

• Leiterplatte geändert

  64

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  LFBGA

• Stiftanzahl

  64

• Leitungsform

  Ball