Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Octal Source Hex Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
150
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
11
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
20
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
97@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
97
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
6660@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3300
Typische Abfallzeit (ns)
12
Typische Anstiegszeit (ns)
19
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
36
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
16
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
9@10V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.49(Max)
Verpackungsbreite
9.15(Max)
Verpackungslänge
7.1(Max)
Leiterplatte geändert
15
Lieferantenverpackung
Direct-FET L8
Stiftanzahl
15
Leitungsform
No Lead
Quantità Ordine