MOSFET

IPI90N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  LTB

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  40

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  90

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  2.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  91@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  91

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  7250@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  150000

• Typische Abfallzeit (ns)

  26

• Typische Anstiegszeit (ns)

  13

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  27

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  23

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Verpackung

  Tube

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  1.9@10V|2.3@10V

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.25

• Verpackungsbreite

  4.4

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-262

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole