Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
800
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
1.9
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
1000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3300@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5.8@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
5.8
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
120@500V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
18000
Typische Abfallzeit (ns)
40
Typische Anstiegszeit (ns)
10
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
40
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2800@10V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.41(Max)
Verpackungsbreite
6.22(Max)
Verpackungslänge
6.73(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3