MOSFET

DN2530N8-G

Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Microchip Technology

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single Dual Drain

• Kanalmodus

  Depletion

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  300

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  0.2

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  12000@0V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  300(Max)@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1600

• Typische Abfallzeit (ns)

  20(Max)

• Typische Anstiegszeit (ns)

  15(Max)

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  15(Max)

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  10(Max)

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.6(Max)

• Verpackungsbreite

  2.6(Max)

• Verpackungslänge

  4.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-89

• Stiftanzahl

  4