Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.8
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
60
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.3@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
23@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
5.4
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
8.5
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
15
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
3400@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
157@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Typische Ausgangskapazität (pF)
393
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2800
Typische Abfallzeit (ns)
3
Typische Anstiegszeit (ns)
10
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2.6@4.5V|1.9@10V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
2.8
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
240
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
55
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.3
Typische Sperrerholungszeit (ns)
13
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.4
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
1.8
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
27
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
3.3
Verpackungslänge
3.3
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSON-CLIP EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead

