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BJT RF

BFU610F,115

Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin DFP T/R

NXP Semiconductors
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    LTB
  • HTS
    8541.21.00.75
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    NPN
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Single
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
    16
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    5.5
  • Max. Kollektor-Emitter-Spannungsbereich (V)
    <20
  • Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
    2.5
  • Max. DC-Kollektorstrom (A)
    0.01
  • Max. DC-Kollektorstrombereich (A)
    0.001 to 0.06
  • Max. Kollektorsperrstrom (nA)
    100
  • Vorspannungsbedingungen im Betrieb
    2V/10mA
  • Mindestgleichstromverstärkung
    90@1mA@2V
  • Mindest-Gleichstromverstärkungsbereich
    50 to 120
  • Typische Eingangskapazität (pF)
    0.227
  • Typische Ausgangskapazität (pF)
    0.019
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    136
  • Max. Leistung 1 dB-Kompression (dBm)
    3.5(Typ)
  • Typischer Leistungsgewinn (dB)
    26
  • Max. Übergangsfrequenz (MHz)
    15000(Typ)
  • Max. Rauschmaß (dB)
    1.7(Typ)
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -65
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.75(Max)
  • Verpackungsbreite
    1.35(Max)
  • Verpackungslänge
    2.2(Max)
  • Leiterplatte geändert
    4
  • Lieferantenverpackung
    DFP
  • Stiftanzahl
    4

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione