Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.2
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
20
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
5.8@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.8@4.5V|15.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
15.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1037@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
4.3
Typische Anstiegszeit (ns)
3.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
18
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
4.7@10V|7.7@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Quantità Ordine