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BJT GP

2SA2040-E

Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag

onsemi
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Obsolete
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    PNP
  • Catégorie
    Bipolar Power
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    50
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    50
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    6
  • Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)
    1.2@40mA@2A
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.39@175mA@3.5A|0.4@40mA@2A
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    8
  • Gain de courant CC minimal
    200@500mA@2V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1000
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Bag
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    5.5
  • Largeur du paquet
    2.3
  • Longueur du paquet
    6.5
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    IPAK
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione