Specifiche Tecniche del Prodotto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.95
SVHC
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Small Signal
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.1
Operating Junction Temperature (°C)
150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.35
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
10000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1600@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
0.5@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.1
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.2
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
33@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
4@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Typische Ausgangskapazität (pF)
7
Max. Leistungsaufnahme (mW)
440
Typische Abfallzeit (ns)
7
Typische Anstiegszeit (ns)
6
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
12
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1000@10V|1300@5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
0.44
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
1.2
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
340
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.75
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.2
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.6
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
0.35
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max)
Verpackungsbreite
1.4(Max)
Verpackungslänge
3(Max)
Leiterplatte geändert
3
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-23
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Quantità Ordine