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BJT GP

2N5416 PBFREE

Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box

Central Semiconductor
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    PNP
  • Catégorie
    Bipolar Power
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    350
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    300
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    6
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -65 to 200
  • Maximum Base Current (A)
    0.5
  • Tension de saturation maximal d'émetteur de base (V)
    1.5@5mA@50mA
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    2@5mA@50mA
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    1
  • Courant de coupure de collecteur maximal (nA)
    50000
  • Gain de courant CC minimal
    30@50mA@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1000
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -65
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    200
  • Emballage
    Box
  • Diamètre
    8.96
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    6.35
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-39
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione