BJT GP

2N2369A

Trans GP BJT NPN 15V 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Microchip Technology

Specifiche Tecniche del Prodotto

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.21.00.75

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  40

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  15

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  4.5

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.85@1mA@10mA|0.9@3mA@30mA|1.2@10mA@100mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.2@1mA@10mA|0.25@3mA@30mA|0.45@10mA@100mA

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  10000

• Mindestgleichstromverstärkung

  40@10mA@0.35V|40@10mA@1V|30@30mA@0.4V|20@100mA@1V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  500

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Verpackung

  Bag

• Durchmesser

  5.84(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.33(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-18

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole