La memoria NVRAM (Non­volatile random access memory - memoria non volatile ad accesso random) è una memoria fisica basata su una tecnologia in grado di conservare le informazioni anche dopo lo spegnimento. Di solito, lo standard NVRAM non si riferisce a dispositivi di archiviazione elettromeccanici come i driver hard disk. La forma più diffusa attualmente di NVRAM è la memoria flash.

Storicamente, i dispositivi NVRAM si sono sviluppati in ritardo, rispetto alle memorie volatili, in termini di velocità e performance. Nonostante il gap sia stato significativamente ridotto grazie a flash, rimangono larghi margini di miglioramento. Il problema principale consiste nei tempi relativamente lenti di scrittura di flash (decine di microsecondi), rispetto a DRAM (decine di nanosecondi) ed SRAM (nanosecondi). Un floating gate, inoltre, sopporta un numero approssimativo di scritture, prima di diventare inaffidabile. Tale fenomeno è noto come resistenza in scrittura e può andare dalle poche centinaia di cicli fino a oltre un milione di cicli, a seconda delle tecnologia flash.

Oltre a flash, sono disponibili altre tecnologie NVRAM, ma attualmente non sono altrettanto sviluppate in termini di costi e capacità. La RAM ferroelettrica (FeRAM) utilizza campi elettrici per orientare il momento dipolo di un film sottile. La RAM magnetica (MRAM) immagazzina informazioni controllando lo spin dell'elettrone che agisce sulla resistenza durante le letture. La categoria di memoria a cambiamento di fase (PRAM) utilizza la stessa tecnologia dei CD e DVD registrabili, ma è anche in grado di rilevare i cambiamenti di resistenza.