Product Technical Specifications
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.10.00.80
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
P
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
60
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
3.5
Courant de drain continu maximal (A)
0.25
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
12000@10V
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
45@25V
Capacitance type de sortie (pF)
22
Dissipation de puissance maximale (mW)
740
Temps de descente type (ns)
4
Temps de montée type (ns)
5
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
5
Délai type de mise en marche (ns)
4
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Bag
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
9000@10V|11000@5V
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
5.33(Max)
Largeur du paquet
4.19(Max)
Longueur du paquet
5.21(Max)
Carte électronique changée
3
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-92
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Formed