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MOSFET

NTMFS0D8N02P1ET1G

Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R

onsemi
Datasheets 

Product Technical Specifications
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    25
  • Tension minimale de source barrière (V)
    16
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2
  • Courant de drain continu maximal (A)
    55
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    0.68@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    52@4.5V|116@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    116
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    8600@13V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    3200
  • Temps de descente type (ns)
    20|19
  • Temps de montée type (ns)
    24|6.8
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    68|123
  • Délai type de mise en marche (ns)
    45|23
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.05(Max)
  • Largeur du paquet
    5.9
  • Longueur du paquet
    4.9
  • Carte électronique changée
    5
  • Conditionnement du fournisseur
    SO-FL EP
  • Décompte de broches
    5
  • Forme de sonde
    Flat

Documentation and Resources

Datasheets
Design resources