Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.1
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
393
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
0.65@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
52@4.5V|110@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
110
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
7700@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
10
Typische Anstiegszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.95
Verpackungsbreite
5
Verpackungslänge
5
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOP Advance
Stiftanzahl
8
Cantidad de Pedido