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MOSFETs

STP30N65M5

Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

STMicroelectronics
Hojas de datos 

Especificaciones técnicas del producto
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Technologie de traitement
    MDmesh V
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    650
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±25
  • Courant de drain continu maximal (A)
    22
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    139@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    64@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    64
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    2880@100V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    140000
  • Temps de descente type (ns)
    10
  • Temps de montée type (ns)
    8
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    50
  • Délai type de mise en marche (ns)
    50
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Échelle de température du fournisseur
    Industrial
  • Emballage
    Tube
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    9.15(Max)
  • Largeur du paquet
    4.6(Max)
  • Longueur du paquet
    10.4(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-220AB
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentación y Recursos

Hojas de datos
Recursos de diseño