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MOSFETs

STL40DN3LLH5

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101

STMicroelectronics
Hojas de datos 

Especificaciones técnicas del producto
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Dual Dual Drain
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    2
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±22
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    1.5(Typ)
  • Courant de drain continu maximal (A)
    40
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    18@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    4.5@4.5V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    475@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    50000
  • Temps de descente type (ns)
    2.8
  • Temps de montée type (ns)
    22
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    13
  • Délai type de mise en marche (ns)
    4
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.95(Max)
  • Largeur du paquet
    6
  • Longueur du paquet
    5
  • Carte électronique changée
    8
  • Conditionnement du fournisseur
    Power Flat EP
  • Décompte de broches
    8
  • Forme de sonde
    No Lead

Documentación y Recursos

Hojas de datos
Recursos de diseño