Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
180
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
160@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
160
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
38
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
48
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
315
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
11550@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
217@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Typische Ausgangskapazität (pF)
2950
Max. Leistungsaufnahme (mW)
300000
Typische Abfallzeit (ns)
112
Typische Anstiegszeit (ns)
139
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
110
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
49
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
720
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.5
Typische Sperrerholungszeit (ns)
108
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
180
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.7(Max)
Verpackungsbreite
9.17(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Lieferantenverpackung
H2PAK
Stiftanzahl
3