Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
800
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±30
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
12
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
10000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
450@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
29@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
27
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
870@100V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
190000
Typische Abfallzeit (ns)
16
Typische Anstiegszeit (ns)
16
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
42
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
16
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.6(Max)
Verpackungsbreite
9.35(Max)
Verpackungslänge
10.4(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing