Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
80
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
16.1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
8.4@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
19.6@7.5V|26@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
26
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1666@40V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5000
Typische Abfallzeit (ns)
6|7
Typische Anstiegszeit (ns)
6|7
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
19|18
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12|14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.07(Max)
Verpackungsbreite
5.89
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
PowerPAK SO EP
Stiftanzahl
8
Cantidad de Pedido