Amplificadores operacionales
LF353M/NOPB
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube
Texas InstrumentsEspecificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8542.33.00.01
Automotive
No
PPAP
No
Typ
Wideband Amplifier
Herstellerart
Wideband Amplifier
Anzahl der Kanäle pro Chip
2
Max. Eingangs-Offsetspannung (mV)
10@±15V
Mindest-Doppelversorgungsspannung (V)
±5
Typische Doppelversorgungsspannung (V)
±9|±12|±15
Max. Doppelversorgungsspannung (V)
±18
Max. Eingangs-Offsetstrom (uA)
0.0001@±15V
Typischer Eingangs-Bias-Strom (uA)
0.00005@±15V
Max. Eingangs-Bias-Strom (uA)
0.0002@±15V
Max. Versorgungsstrom (mA)
6.5@±15V@0C to 70C
Typischer Ausgangsstrom (mA)
20
Spannungsversorgungsart
Dual
Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us)
13@±15V
Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz)
16@±15V
Typischer Spannungsgewinn (dB)
100
Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz)
0.01@±15V
Mindest-Störspannungsunterdrückung (PSRR) (dB)
70
Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
70
Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB)
70 to 71
Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz)
4
Typische Einschwingzeit (ns)
2000
Abschaltunterstützung
No
Mindestbetriebstemperatur (°C)
0
Max. Betriebstemperatur (°C)
70
Verpackung
Tube
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5(Max)
Verpackungsbreite
3.9
Verpackungslänge
4.91
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing

