Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
50
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±15
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
48
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
50
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
30@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
53@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
53
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
3660@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
150000
Typische Abfallzeit (ns)
13
Typische Anstiegszeit (ns)
15
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
30
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
20
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.7(Max) mm
Verpackungsbreite
9.4(Max) mm
Verpackungslänge
10.41(Max) mm
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Cantidad de Pedido