Chips DRAM
IS43TR85120BL-125KBLI-TR
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA T/R
Integrated Silicon Solution IncEspecificaciones técnicas del producto
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8542.32.00.36
Automotive
No
PPAP
No
Type
DDR3L SDRAM
Densité (bit)
4G
Organisation
512Mx8
Nombre de banques internes
8
Nombre de mots par banque
64M
Nombre de bits par mot (bit)
8
Largeur du bus de données (bit)
8
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
1600
Temps maximal d'accès (ns)
0.225
Largeur de Bus d'adresse (bit)
19
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
1.283
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
1.45
Courant de fonctionnement maximal (mA)
167
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
95
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Nombre de lignes E/S (bit)
8
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1(Max)
Largeur du paquet
8
Longueur du paquet
10.5
Carte électronique changée
78
Nom de lemballage standard
BGA
Conditionnement du fournisseur
TW-BGA
Décompte de broches
78