Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant
Part Status
Active
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.3
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
27@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.6@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.1
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.8
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
4
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
382@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
39@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.3
Typische Ausgangskapazität (pF)
84
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1300
Typische Abfallzeit (ns)
4.4
Typische Anstiegszeit (ns)
4.4
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7.4
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.2
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
22@10V|33@4.5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
21
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
100
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
11
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.7
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Cantidad de Pedido