Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
12
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
100
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
300@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
38(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
38(Max)
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
21(Max)
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
6.8(Max)
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
460
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
860@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
93@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
340
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3700
Typische Abfallzeit (ns)
39
Typische Anstiegszeit (ns)
52
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
31
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
3.7
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
48
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
40
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
6.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
120
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
6.3
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)
0.4
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
3.3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.45
Verpackungsbreite
9.02
Verpackungslänge
10.16
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing