MOSFETs

IRF630NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Infineon Technologies AG

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  IRF630NSTRLPBF

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  200

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  9.3

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  300@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  35(Max)@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  35(Max)

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  575@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  82000

• Typische Abfallzeit (ns)

  15

• Typische Anstiegszeit (ns)

  14

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  27

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  7.9

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  4.83(Max)

• Verpackungsbreite

  9.65(Max)

• Verpackungslänge

  10.67(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  D2PAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing