Especificaciones técnicas del producto
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8542.39.00.90
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
950
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3700@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
6
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
196@400V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
6000
Typische Abfallzeit (ns)
40
Typische Anstiegszeit (ns)
23
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
46
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
3110@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
5
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.6
Verpackungsbreite
3.5
Verpackungslänge
6.5
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-223
Stiftanzahl
3
Cantidad de Pedido