MOSFETs

IPD30N10S3L34ATMA2

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Especificaciones técnicas del producto

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  30

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  31@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  24@10V

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1520@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  57000

• Typische Abfallzeit (ns)

  3

• Typische Anstiegszeit (ns)

  4

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  18

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  6

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3

• Verpackungsbreite

  6.22

• Verpackungslänge

  6.5

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing